Скидка 20% на Оперативная Память Patriot Memory Viper Steel 16gb (8gbx2) Ddr4 3200mhz Dimm 288-Pin Cl16 Pvs416g320c6k

Модуль памяти DDR4 G.SKILL TRIDENT Z RGB 64GB (2x32GB kit) 3600MHz CL16 1.45V / F4-3600C16D-64GTZR

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-48000 6000MHz; Код вендора: SP016GXLWU600FSG; Латентность: CL40; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8 - это один из лучших вариантов для ноутбуков. Она обеспечивает быструю работу системы и улучшает производительность. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость передачи данных; - Надежность и долговечность; - Совместимость с различными моделями ноутбуков

Работает на напряжениях 1.5В 1.35В Оперативная память DDR3 (4GB), SODIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5В 1.35В

Артикул № 975466 Viper Gaming представляет новое поколение оперативной памяти DDR5 серии Viper Venom – самую быструю память в ассортименте Viper. Память DDR5 Viper Venom в два раза превосходит любую память DDR4 по своему быстродействию. Модули DDR5 Viper Venom разработаны с применением инновационных технологий, оснащены встроенной микросхемой управления питанием, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей.

Базовая единица: шт Тип: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тактовая частота: 6400 МГц Пропускная способность: PC51200 CL: 34 tRCD: 44 tRP: 44 Напряжение питания: 1.35 В Количество контактов: 288 Особенности: радиатор, XMP, игровая Линейка: T-Create Expert Упаковка чипов: односторонняя

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Партия оперативной памяти может не совпадать с той, что на фотографии. Доп. информация по запросу. Могут иметься незначительные следы пыли. Предварительно контакты почищены ластиком. В наличии как узкопрофильные планки, так и обычные, отправляются случайным образом. Возможны варианты отправки с 8 и 16 чипами.

Модуль определения координат по спутникам GPS на чипе NEO-6M с керамической активной антенной. Интерфейс связи последовательный порт UART. Напряжение питания: 3В-5В; Последовательный порт, скорость связи по умолчанию 9600; Резервный аккумулятор; Светодиодный индикатор сигнала; Контакты: VCC, GND, TXD, RXD; Размеры антенны: 25 x 25 мм; Размеры модуля: 25 мм x 35 мм

Оперативная память Crucial 4 ГБ (2 ГБ x 2 шт.) DDR2 800 МГц SODIMM CL6 CT2KIT25664AC800

Память DDR4 8Gb 3200MHz Kingmax KM-SD4-3200-8GS RTL CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBSD2666 DDR4 16GB SODIMM 2666MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 2666 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC нет Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2

Оперативная память Kingston DRAM 64GB 3200MHz DDR4 CL16 DIMM (Kit of 2) FURY Renegade RGB EAN: 74061

объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Размер (модули памяти): 4096/2666Тип памяти: DDR4Объем: 4096МБЧастотная спецификация: 2666Количество в упаковке: 1Форм-фактор: SO-DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 260-pinПоказатель скорости: PC4-21300Скорость (тест): 2666МГцНапряжение (тест): 1.2ВКоличество рангов (Ranks): single rankPartNumber/Артикул Производителя: AD4S26664G19-BGNБренд: A-DATAМодель: AD4S26664G19-BGNЛатентность: CL19Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://corp. adata. com/ru/orderinfo/484Вес упаковки (ед)

Оперативная память для ноутбука 2GB 667MHz DDR2 PC2-5300S HMP125S6EFR8C-Y5. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Тип: оперативная память; Цвет: черный